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  • 2024-06-18发表 | 作者:w66国际 | 浏览次数:

  )全电压范围 内建防过载、防饱和、防输出短路电路 锁存脉宽调制,逐脉冲限流检测 内置斜坡驱动电路

  单相双NMOS半桥栅极驱动芯片 SA2601A是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT

  近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A

  封装IGBT单管 /

  封装的全称为Heptawatt 高继电功率封装,是由施耐德(SEMETEY)公司开发的一种新型封装。它是基于

  高压 MOSFET 和高压启动电路 •优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力 •多模式控制、无异音工作 •支持降压和升降压拓扑 •默认 12

  /10000UF电解充电,充电时间1.5s,瞬间功率比较大,请问一下LT3751能否做到,或者有其他合适方案

  和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用,提供广泛的封装选项,包括长引线

  圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(

  /6A SiC二极管 /

  【Vision Board创客营连载体验】基于RA8D1-Vision Board的自动路径规划小车

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